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| Artikel-Nr.:
822EL-8064311 Herst.-Nr.:
MMBFJ111 EAN/GTIN:
5059042669312 |
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| Channel-Typ = N
IDS Drain-Source-Abschaltstrom = 20mA
Drain-Source-Spannung max. = 15 V
Gate-Source Spannung max. = -35 V
Drain-Gate-Spannung max. = 35V
Transistor-Konfiguration = Einfach
Drain-Source-Widerstand max. = 30 Ω
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOT-23
Pinanzahl = 3
Drain Gate Kapazität = 28pF
Source Gate Kapazität = 28pF
Abmessungen = 2.9 x 1.3 x 1.04mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-JFET, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | IDS Drain-Source-Abschaltstrom: | 20mA | Drain-Source-Spannung max.: | 15 V | Gate-Source Spannung max.: | -35 V | Drain-Gate-Spannung max.: | 35V | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Drain-Source-Widerstand max.: | 30 O | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SOT-23 | Pinanzahl: | 3 | Drain Gate Kapazität: | 28pF | Source Gate Kapazität: | 28pF | Abmessungen: | 2.9 x 1.3 x 1.04mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8064311, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, JFET, onsemi, MMBFJ111, Semiconductors, Discrete Semiconductors, JFETs |
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