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| Artikel-Nr.: 822EL-8090809 Herst.-Nr.: FDB050AN06A0 EAN/GTIN: 5059042653229 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 11 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 245 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Betriebstemperatur max. = +175 °C Serie = PowerTrench
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 11 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 245 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Serie: | PowerTrench |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 80a, 8090809, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDB050AN06A0, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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