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| Artikel-Nr.: 822EL-8107499 Herst.-Nr.: STB30NF20 EAN/GTIN: 5059042318418 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 75 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 125 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = STripFET
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 75 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | STripFET |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, 8107499, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STB30NF20, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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