|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-8166928 Herst.-Nr.:
PMV160UP,215 EAN/GTIN:
5059043104478 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 210 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.95V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.45V
Verlustleistung max. = 2,17 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +8 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal-MOSFET, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 1,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 210 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.95V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.45V | Verlustleistung max.: | 2,17 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | +8 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 8166928, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PMV160UP,215, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |