Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.: 822EL-8235538 Herst.-Nr.: BFR193E6327HTSA1 EAN/GTIN: 5059043272788 |
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| Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 80 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 12 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 580 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 20 V Basis-Emitter Spannung max. = 2 V Arbeitsfrequenz max. = 8 GHz Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur max. = +150 °C
Bipolare HF-Transistoren, Infineon Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 80 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 12 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 580 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 20 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 2 V | Arbeitsfrequenz max.: | 8 GHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd-transistor npn, smd transistor, transistor sot-23, 8235538, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Infineon, BFR193E6327HTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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