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| Artikel-Nr.:
822EL-8269364 Herst.-Nr.:
BFR193WH6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043016993 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 80 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 12 V
Gehäusegröße = SOT-323 (SC-70)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 580 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 20 V
Basis-Emitter Spannung max. = 2 V
Arbeitsfrequenz max. = 8 GHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Bipolare HF-Transistoren, Infineon Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 80 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 12 V | Gehäusegröße: | SOT-323 (SC-70) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 580 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 20 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 2 V | Arbeitsfrequenz max.: | 8 GHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, smd-transistor npn, smd transistor, transistor infineon, 8269364, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Infineon, BFR193WH6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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