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| Artikel-Nr.:
822EL-8270070 Herst.-Nr.:
BSS131H6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043512594 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 mA
Drain-Source-Spannung max. = 240 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 20 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.8V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 360 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = SIPMOS
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 110 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 240 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 20 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.8V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 360 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | SIPMOS |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 8270070, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSS131H6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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