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| Artikel-Nr.: 822EL-8273903 Herst.-Nr.: IRF8313TRPBF EAN/GTIN: 5059043894270 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9,7 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOIC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 21,6 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.35V Gate-Schwellenspannung min. = 1.35V Verlustleistung max. = 2 W Transistor-Konfiguration = Isoliert Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Höhe = 1.5mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 21,6 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.35V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.35V | Verlustleistung max.: | 2 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Höhe: | 1.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 8273903, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF8313TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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