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| Artikel-Nr.:
822EL-8274909 Herst.-Nr.:
CSD18563Q5A EAN/GTIN:
5059042481228 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = NexFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 10,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.7V
Verlustleistung max. = 3,2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 1.1mm
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | NexFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.7V | Verlustleistung max.: | 3,2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Höhe: | 1.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 8274909, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Texas Instruments, CSD18563Q5A, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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