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| Artikel-Nr.:
822EL-8274919 Herst.-Nr.:
CSD19536KCS EAN/GTIN:
5059042142426 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 259 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 375 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 16.51mm
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 259 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,2 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.1V | Verlustleistung max.: | 375 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 16.51mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 8274919, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Texas Instruments, CSD19536KCS, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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