Toshiba TK TK12P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 340 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 100 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = TK

MOSFET N-Kanal, Serie TK1x, Toshiba