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| Artikel-Nr.:
822EL-8293332 Herst.-Nr.:
DN2535N3-G EAN/GTIN:
5059040133891 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 120 mA
Drain-Source-Spannung max. = 350 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 25 Ω
Channel-Modus = Depletion
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Verlustleistung max. = 1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus. Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind. Merkmale. Hohe Eingangsimpedanz Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeiten Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Frei von sekundärer Durchschlagsspannung Niedriger Eingangs- und Leckstrom. Typische Anwendungen:. Schließerschalter Halbleiterrelais Wandler Lineare Verstärker Konstantstrom-Quellen Netzteilschaltungen Telekommunikation Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 120 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 350 V | Gehäusegröße: | TO-92 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 25 O | Channel-Modus: | Depletion | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Verlustleistung max.: | 1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8293332, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Microchip, DN2535N3G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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