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| Artikel-Nr.:
822EL-8610670 Herst.-Nr.:
VN2410L-G EAN/GTIN:
5059040136427 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 190 mA
Drain-Source-Spannung max. = 240 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Verlustleistung max. = 1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Anreicherungsmodus. Die DMOS-FET-Transistoren der Supertex mit N-Kanal-Anreicherungsmodus (Einschalter) von Microchip sind für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen geeignet, die eine niedrige Schwellenspannung, eine hohe Durchschlagsspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und hohe Schaltgeschwindigkeiten erfordern. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 190 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 240 V | Gehäusegröße: | TO-92 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Verlustleistung max.: | 1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8610670, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Microchip, VN2410LG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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