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| Artikel-Nr.: 822EL-8652090 Herst.-Nr.: BCV46,215 EAN/GTIN: 5059043730110 |
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| Transistor-Typ = PNP Dauer-Kollektorstrom max. = –500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V Basis-Emitter Spannung max. = –10 V Gehäusegröße = SOT-23 (TO-236AB) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Gleichstromverstärkung min. = 2000 Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. = –1,5 V Kollektor-Basis-Spannung max. = –80 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = –1 V Kollektor-Abschaltstrom max. = -100nA Verlustleistung max. = 250 mW
Darlington-Transistoren, Nexperia Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | Dauer-Kollektorstrom max.: | –500 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 60 V | Basis-Emitter Spannung max.: | –10 V | Gehäusegröße: | SOT-23 (TO-236AB) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Gleichstromverstärkung min.: | 2000 | Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: | –1,5 V | Kollektor-Basis-Spannung max.: | –80 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | –1 V | Kollektor-Abschaltstrom max.: | -100nA | Verlustleistung max.: | 250 mW |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor pnp, smd transistor, 8652090, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, Nexperia, BCV46,215, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
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