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| Artikel-Nr.:
822EL-8752471 Herst.-Nr.:
MMIX1F520N075T2 EAN/GTIN:
5059041405225 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 500 A
Drain-Source-Spannung max. = 75 V
Gehäusegröße = SMPD
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 24
Drain-Source-Widerstand max. = 1,6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 830 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodendurchschlagsspannung = 1.25V
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™ Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 500 A | Drain-Source-Spannung max.: | 75 V | Gehäusegröße: | SMPD | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 24 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,6 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 830 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodendurchschlagsspannung: | 1.25V |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 500a, 8752471, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, MMIX1F520N075T2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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