| |
|
| Artikel-Nr.: 822EL-8765623 Herst.-Nr.: STD13N65M2 EAN/GTIN: 5059042683400 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 430 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 110 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Transistor-Werkstoff = Si Serie = MDmesh M2
N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics. Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler). Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 430 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 110 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | MDmesh M2 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, 8765623, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD13N65M2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |