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| Artikel-Nr.:
822EL-8765702 Herst.-Nr.:
STR2P3LLH6 EAN/GTIN:
5059042376944 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 2 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 90 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 350 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.75mm
Serie = STripFET
P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 90 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 350 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.75mm | Serie: | STripFET |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, 8765702, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STR2P3LLH6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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