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| Artikel-Nr.:
822EL-8805474 Herst.-Nr.:
STY145N65M5 EAN/GTIN:
5059042543100 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 138 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = MDmesh
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 15 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 625 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.5V
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 138 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | MDmesh | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 15 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 625 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.5V |
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| Weitere Suchbegriffe: 8805474, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STY145N65M5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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