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| Artikel-Nr.:
822EL-8912948 Herst.-Nr.:
TK22A10N1,S4X(S EAN/GTIN:
5059041596923 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 52 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220SIS
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 13,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 30 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V
MOSFET N-Kanal, Serie TK2x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 52 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220SIS | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 13,8 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 30 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
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| Weitere Suchbegriffe: 8912948, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK22A10N1,S4X(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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