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Infineon HEXFET IRFTS9342TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2 W, 6-Pin TSOP-6


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Infineon HEXFET IRFTS9342TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2 W, 6-Pin TSOP-6
Artikel-Nr.:
     822EL-9075151
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFTS9342TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043147673
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 5,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = TSOP-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 66 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
5,8 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
TSOP-6
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
6
Drain-Source-Widerstand max.:
66 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Verlustleistung max.:
2 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Diodendurchschlagsspannung:
1.2V
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 9075151, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFTS9342TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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