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| Artikel-Nr.:
822EL-9163721 Herst.-Nr.:
2N7008-G EAN/GTIN:
5059040129368 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 230 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 7,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = –55 °C
2N7008 N-Kanal-MOSFET-Transistoren. Der Microchip 2N7008 ist ein Anreicherungstyptransistor (normalerweise aus), der eine vertikale DMOS-Struktur verwendet. Das Design kombiniert die Strombelastbarkeit eines bipolaren Transistors mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizient von MOS-Geräten. Merkmale. Frei von sekundärer Durchschlagsspannung Niedrige Anforderungen an die Stromversorgung Einfacher Parallelbetrieb Niedrige C ;sub>ISS ;/sub> und schnelle Schaltgeschwindigkeiten Ausgezeichnete Temperaturstabilität Integrierte Source-Drain-Diode Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 230 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-92 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7,5 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 9163721, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Microchip, 2N7008G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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