IXYS HiperFET, X2-Class IXFK100N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 100 A 1,04 kW, 3-Pin UM-264P

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = UM-264P
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 30 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.7V
Verlustleistung max. = 1,04 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 26.3mm
Höhe = 5.3mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiPerFET™ Serie X2. Die Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 aus der Serie HiPerFET von IXYS bieten einen deutlich verringerten Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Gate-Ladung im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs, was zu geringeren Verlusten und einer höheren Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte umfassen eine verbesserte Hochgeschwindigkeits-Intrinsic-Diode, und sie sind für hartes Schalten ebenso wie für den Resonanzbetrieb geeignet. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Typen mit Nennströmen von bis zu 120 A bei 650 V erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Chopper, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung. Sehr niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung) Schnelle interne Gleichrichterdiode Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand Niedrige Gehäuseinduktivität Industriestandard-Gehäuse