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| Artikel-Nr.:
822EL-9195025 Herst.-Nr.:
IRF630NPBF EAN/GTIN:
5059043008660 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 300 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 82 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 8.77mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 300 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 82 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 8.77mm |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet to-220ab, 9195025, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF630NPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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