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| Artikel-Nr.:
822EL-9200789 Herst.-Nr.:
IXFN64N50P EAN/GTIN:
5059041375924 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 61 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 85 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Verlustleistung max. = 700 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HiperFET, Polar
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 61 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 85 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5.5V | Verlustleistung max.: | 700 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HiperFET, Polar |
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| Weitere Suchbegriffe: 9200789, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFN64N50P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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