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| Artikel-Nr.:
822EL-9209903 Herst.-Nr.:
NTMFS5C430NLT1G EAN/GTIN:
5059042263336 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 200 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 2,2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 200 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | DFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,2 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 110 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 200a, 9209903, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTMFS5C430NLT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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