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| Artikel-Nr.:
822EL-9215428 Herst.-Nr.:
HFA3127BZ EAN/GTIN:
5059041370837 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 65 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 8 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 150 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis-Spannung max. = 12 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5,5 V
Arbeitsfrequenz max. = 8000 MHz
Pinanzahl = 16
Anzahl der Elemente pro Chip = 5
Abmessungen = 1.5 x 10 x 4mm
Transistorarrays, Intersil. Vollständige Isolierung zwischen Transistoren Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 65 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 8 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 150 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 12 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5,5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 8000 MHz | Pinanzahl: | 16 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 5 | Abmessungen: | 1.5 x 10 x 4mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 9215428, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Renesas Electronics, HFA3127BZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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