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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,245A; Idm: 1,2A; 1,2W


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,245A; Idm: 1,2A; 1,2W
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,245A; Idm: 1,2A; 1,2W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-2N7002BK.215
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     2N7002BK,215
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet sot-23
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23;TO236AB
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 0,245A
Widerstand im Leitungszustand: 2Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 0,6nC
Technologie: Trench
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 1,2A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor
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