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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,12A; Idm: 0,76A


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,12A; Idm: 0,76A
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,12A; Idm: 0,76A
Artikel-Nr.:
     8WUGW-2N7002NXAKR
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     2N7002NXAKR
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23;TO236AB
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 0,12A
Widerstand im Leitungszustand: 9,2Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,265W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 0,43nC
Technologie: Trench
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 0,76A
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