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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 158A; SOT227B


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT200GN60J
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT200GN60J
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Gehäuse: SOT227B
Rückspannung max.: 0,6kV
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 158A
Kollektorstrom im Impuls: 600A
Anwendung: für UPS;für Induktionsbelastungen;Motoren
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: Trench;Field Stop
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.