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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 100A; SOT227B


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT200GT60JR
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT200GT60JR
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Gehäuse: SOT227B
Rückspannung max.: 0,6kV
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±30V
Kollektor-Emitter-Strom: 100A
Kollektorstrom im Impuls: 600A
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: Thunderblot IGBT®;NPT
Die Konditionen im Überblick1
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