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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B


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Produktinformationen
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B
Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT40GP90JDQ2
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT40GP90JDQ2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Gehäuse: SOT227B
Rückspannung max.: 900V
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±30V
Kollektor-Emitter-Strom: 27A
Kollektorstrom im Impuls: 160A
Verlustleistung: 284W
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: POWER MOS 7®
Die Konditionen im Überblick1
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