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Transistor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 75A; 568W; TO247-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-BGH75N120HF1
Hersteller:
     BASiC SEMICONDUCTOR
Herst.-Nr.:
     BGH75N120HF1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
igbt
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 75A
Kollektorstrom im Impuls: 200A
Anschaltzeit: 140ns
Ausschaltzeit: 443ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 568W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 398nC
Technologie: Trench;Field Stop;SiC SBD
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