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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8,1A; Idm: 46A; 44W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-BUK9M120-100EX
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     BUK9M120-100EX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet 11a
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: LFPAK33;SOT1210
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 8,1A
Widerstand im Leitungszustand: 0,34Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 44W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 8,8nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±10V
Drainstrom im Impuls: 46A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor
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