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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 26A; 2,3W; WSON6


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-CSD85301Q2T
Hersteller:
     Texas Instruments
Herst.-Nr.:
     CSD85301Q2T
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Montage: SMD
Gehäuse: WSON6
Drain-Source Spannung: 20V
Drainstrom: 5A
Widerstand im Leitungszustand: 99mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 2,3W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Technologie: NexFET™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±10V
Drainstrom im Impuls: 26A
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