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Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-DG10X12T2
Hersteller:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Herst.-Nr.:
     DG10X12T2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
igbt
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 10A
Kollektorstrom im Impuls: 30A
Anschaltzeit: 37ns
Ausschaltzeit: 493ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 96W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 80nC
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