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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4,5A; 1,6W; SuperSOT-6

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Produktinformationen

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4,5A; 1,6W; SuperSOT-6

Artikel-Nr.:
8WUGW-FDC638P

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
FDC638P

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet

Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: SuperSOT-6
Drain-Source Spannung: -20V
Drainstrom: -4,5A
Widerstand im Leitungszustand: 72mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 1,6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 14nC
Technologie: PowerTrench®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V

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Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet

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