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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2,7A; Idm: 18A; 40W; DPAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDD6N20TM
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDD6N20TM
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
on semiconductor mosfet
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 2,7A
Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 40W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 6,1nC
Technologie: DMOS;UniFET™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 18A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet 200v
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