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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6,8A; 2,4W; MicroFET


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6,8A; 2,4W; MicroFET
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6,8A; 2,4W; MicroFET
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDMA530PZ
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDMA530PZ
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: MicroFET
Drain-Source Spannung: -30V
Drainstrom: -6,8A
Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 2,4W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 11nC
Technologie: PowerTrench®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Weitere Suchbegriffe: mosfet 30v
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