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Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -7A; Idm: -30A; 2,2W; WDFN6


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDMB2308PZ
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDMB2308PZ
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: WDFN6
Struktur des Halbleiters: gemeinsamer Drain
Drain-Source Spannung: -20V
Drainstrom: -7A
Transistor-Typ: P-MOSFET x2
Verlustleistung: 2,2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 30nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±12V
Drainstrom im Impuls: -30A
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