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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4,8A; Idm: 9A; 1,6W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDMB3800N
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDMB3800N
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Dual Transistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: MicroFET
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 4,8A
Widerstand im Leitungszustand: 61mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 1,6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 5,6nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 9A
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