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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2,1W; uDFN6


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDME910PZT
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDME910PZT
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: uDFN6
Drain-Source Spannung: -20V
Drainstrom: -8A
Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 2,1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Weitere Suchbegriffe: mosfet 20v
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