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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2,4W; SO8


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2,4W; SO8
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2,4W; SO8
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDS4675
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDS4675
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: -40V
Drainstrom: -11A
Widerstand im Leitungszustand: 21mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 2,4W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 56nC
Technologie: PowerTrench®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: mosfet 40v
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