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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7,5A; Idm: 20A; 1,6W; SO8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7,5A; Idm: 20A; 1,6W; SO8
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7,5A; Idm: 20A; 1,6W; SO8
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDS6911
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDS6911
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
on semiconductor mosfet
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 20V
Drainstrom: 7,5A
Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 1,6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
Gate-Ladung: 24nC
Technologie: PowerTrench®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 20A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet 20v
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