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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2,7A; 31W; SO8


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2,7A; 31W; SO8
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2,7A; 31W; SO8
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDS89161LZ
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDS89161LZ
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
on semiconductor mosfet
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 2,7A
Widerstand im Leitungszustand: 182mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 31W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet 100v
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