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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV

Menge:

Stück

Produktinformationen

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV

Artikel-Nr.:
8WUGW-FF200R12KT4

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
FF200R12KT4HOSA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Gehäuse: AG-62MM-1
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 200A
Kollektorstrom im Impuls: 400A
Verlustleistung: 1,1kW
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Topologie: IGBT Halbbrücke

... > Lager 8WUGW > Diskrete Halbleitermodule > IGBT-Module

Weitere Suchbegriffe: igbt module

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