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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7,6A; 44W; DPAK

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Produktinformationen

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7,6A; 44W; DPAK

Artikel-Nr.:
8WUGW-FQD17P06TM

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
FQD17P06TM

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet

Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Drain-Source Spannung: -60V
Drainstrom: -7,6A
Widerstand im Leitungszustand: 135mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 44W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 27nC
Technologie: QFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V

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