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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-G2R1000MT17J
Hersteller:
     Genesic Semiconductor
Herst.-Nr.:
     G2R1000MT17J
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: TO263-7
Drain-Source Spannung: 1,7kV
Drainstrom: 4A
Widerstand im Leitungszustand:
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 54W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Kelvin Terminal
Technologie: SiC;G2R™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -5...20V
Drainstrom im Impuls: 8A
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