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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 8A; Idm: 16A; 74W


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-G3R350MT12D
Hersteller:
     Genesic Semiconductor
Herst.-Nr.:
     G3R350MT12D
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 11a
mosfet
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 8A
Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 74W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 12nC
Technologie: SiC;G3R™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -5...15V
Drainstrom im Impuls: 16A
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