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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 71A; Idm: 213A; 188W

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
8WUGW-IMW120R020M1HXKSA1

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IMW120R020M1HXKSA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 71A
Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 188W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Technologie: SiC;CoolSiC™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -7...20V
Drainstrom im Impuls: 213A

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