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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 18A; Idm: 50A; 58W; TO247

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 18A; Idm: 50A; 58W; TO247

Artikel-Nr.:
8WUGW-IMW120R090M1HXKSA1

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IMW120R090M1HXKSA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 18A
Widerstand im Leitungszustand: 0,17Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 58W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Technologie: SiC;CoolSiC™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -7...23V
Drainstrom im Impuls: 50A

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